IPP023NE7N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 100 ֏
от 2 шт. —
5 600 ֏
от 5 шт. —
5 200 ֏
от 10 шт. —
4 850 ֏
1 шт.
на сумму 6 100 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 120A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V; Po
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 98 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | G IPP023NE7N3 IPP23NE7N3GXK SP000641722 |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 206 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 mOhms |
| Rise Time | 26 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.3 V |
| Width | 4.4 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Qg - заряд затвора | 206 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 26 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | IPP023NE7N3 G SP000641722 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 98 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Base Product Number | IPP023 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 37.5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273ВµA |
| Вес, г | 1.25 |
Техническая документация
Datasheet IPP023NE7N3GXKSA1
pdf, 836 КБ
Datasheet IPP023NE7N3GXKSA1
pdf, 848 КБ
