CSD17318Q2T, Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
![CSD17318Q2T, Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514423.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 500 шт.
Кратность заказа 250 шт.
от 1750 шт. —
493 ֏
500 шт.
на сумму 265 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 30V 25A (Tc) 16W (Tc) Поверхностный монтаж 6-WSON (2x2)
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
Pd - рассеивание мощности | 16 W |
Qg - заряд затвора | 6 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 4 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 42 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 250 |
Серия | CSD17318Q2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | WSON-6 |
Base Product Number | CSD17318 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 879pF @ 15V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Power Dissipation (Max) | 16W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.1mOhm @ 8A, 8V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | NexFETв„ў -> |
Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
Continuous Drain Current (Id) | 25A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 15.1mΩ@8A, 8V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 879pF@15V |
Power Dissipation (Pd) | 16W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6nC@4.5V |
Type | null |
Вес, г | 1 |