IXYP20N65C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 830 ֏
от 3 шт. —
3 340 ֏
от 10 шт. —
2 590 ֏
от 50 шт. —
2 130 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Planar |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | XPT, GenX3 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 249 КБ
