IPD60R280P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 950 ֏
от 2 шт. —
2 470 ֏
от 5 шт. —
2 120 ֏
от 10 шт. —
1 970 ֏
1 шт.
на сумму 2 950 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.214ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 280@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 53000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 761@10V |
| Drain Source On State Resistance | 0.214Ом |
| Power Dissipation | 53Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 53Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.214Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.28 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | TO-252 |
| Series | CoolMOS |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 995 КБ
Datasheet IPD60R280P7ATMA1
pdf, 1081 КБ
