IPA65R190C7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 300 ֏
от 2 шт. —
4 670 ֏
от 81 шт. —
4 450 ֏
1 шт.
на сумму 5 300 ֏
Описание
Электроэлемент
IPA65R190 - 650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 9 ns |
| Height | 16.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Length | 10.65 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPA65R190C7XKSA1 SP001080140 |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 23 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 168 mOhms |
| Rise Time | 11 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS C7 |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Width | 4.85 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 168 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Высота | 16.15 mm |
| Длина | 10.65 mm |
| Другие названия товара № | IPA65R190C7XKSA1 SP001080140 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | CoolMOS C7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.85 mm |
| Вес, г | 2.565 |
