SI2302CDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
![Фото 1/4 SI2302CDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174631.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/128/DOC047128036.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
174 ֏
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 57 шт. —
143 ֏
от 113 шт. —
134 ֏
от 225 шт. —
125 ֏
12 шт.
на сумму 2 088 ֏
Посмотреть аналоги7
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-23-3L | |
Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A | |
Pd - рассеивание мощности | 710 mW | |
Qg - заряд затвора | 3.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 7 ns | |
Время спада | 7 ns | |
Высота | 1.45 mm | |
Длина | 2.9 mm | |
Другие названия товара № | SI2302CDS-E3 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | TrenchFET | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | SI2 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 30 ns | |
Типичное время задержки при включении | 8 ns | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.6 mm | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Forward Diode Voltage | 1.2V | |
Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
Maximum Gate Source Voltage | ±8 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.85V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 0.71 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.05 |