CY7C109D-10VXI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 580 ֏
от 2 шт. —
4 050 ֏
от 5 шт. —
3 680 ֏
от 10 шт. —
3 510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 580 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание IC: SRAM memory; 128kx8bit; 4.5?5.5V; 10ns; SOJ32; parallel Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | SRAM |
Технические параметры
Memory Size | 1Mbit; SRAM Memory Configuration |
Access Time: | 10 ns |
Brand: | Infineon Technologies |
Factory Pack Quantity: | 1150 |
Interface Type: | Parallel |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 1 Mbit |
Memory Type: | Volatile |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organisation: | 128 k x 8 |
Package/Case: | SOJ-32 |
Packaging: | Tube |
Product Category: | SRAM |
Product Type: | SRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 80 mA |
Supply Voltage - Max: | 5.5 V |
Supply Voltage - Min: | 4.5 V |
Type: | Asynchronous |
Вес, г | 7.64 |