IPB026N06NATMA1
![Фото 1/3 IPB026N06NATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/889/DOC024889691.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/256/DOC041256496.jpg)
2 890 ֏
от 2 шт. —
2 400 ֏
от 5 шт. —
2 080 ֏
от 8 шт. —
1 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 890 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPB026N06NATMA1 производства INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD-монтажа. С током стока в 100 А и напряжением сток-исток 60 В, он обеспечивает отличную производительность в самых требовательных применениях. Мощность устройства составляет 136 Вт, что говорит о его способности справляться с большими нагрузками, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0026 Ом свидетельствует о высокой эффективности и минимальных потерях мощности. Корпус PG-TO263-3 обеспечивает удобную интеграцию в электронные схемы. Транзистор IPB026N06NATMA1 от INFINEON – идеальный выбор для разработки энергоэффективных и надежных электронных устройств. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 100 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 136 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0026 |
Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A(Ta), 100A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 30V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 136W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
Series | OptiMOSв(ў |
Supplier Device Package | DВІPAK(TO-263AB) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75ВµA |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Package Type | PG-TO263-3 |
Вес, г | 2.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 550 КБ
Datasheet IPB026N06NATMA1
pdf, 600 КБ