BSC098N10NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 400 ֏
от 2 шт. —
1 960 ֏
от 5 шт. —
1 610 ֏
от 10 шт. —
1 490 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:60A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0082ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0098 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOSTM5 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.156 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1329 КБ
Datasheet BSC098N10NS5ATMA1
pdf, 1133 КБ
