IPD80R360P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 170 ֏
от 2 шт. —
2 690 ֏
от 5 шт. —
2 340 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
1 шт.
на сумму 3 170 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 800V, 13A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:13A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):0.31ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 13(A) |
| Drain-Source On-Volt | 800(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 84(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Pd - рассеивание мощности | 84 W |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 310 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Другие названия товара № | IPD80R360P7 SP001633516 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.31Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 84Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.31Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
