ARF1510, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
![ARF1510, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC007065796.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
365 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 365 000 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 kW |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 10 ns |
Выходная мощность | 750 W |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 mS |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Рабочая частота | 40 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип | RF Power MOSFET |
Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
Торговая марка | Microsemi |
Усиление | 17 dB |
Вес, г | 1 |