BCX5110TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
370 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
от 1000 шт. —
114 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 150 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCX5110 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Case | SOT89 |
| Collector current | 1A |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Current gain | 63…160 |
| Frequency | 150MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | PNP |
| Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ
