FCX617TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

840 ֏

от 10 шт. — 710 ֏

от 100 шт. — 449 ֏

от 500 шт. — 340 ֏

1 шт. на сумму 840 ֏

Номенклатурный номер: 8004585512

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation

Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 200 at 3
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	15 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	120 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FCX61
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.5 mm
Вес, г	0.052