FMMT493TC, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
436 ֏
от 100 шт. —
229 ֏
от 1000 шт. —
136 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 500 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Высота: | 1.1 mm |
| Длина: | 3 mm |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 600 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 1 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 150 MHz |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки: | 10000 |
| Серия: | FMMT49 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
| Ширина: | 1.4 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 375 КБ
