Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › ZDT751TA, Bipolar Transistors - BJT Dual 60V PNP

ZDT751TA, Bipolar Transistors - BJT Dual 60V PNP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 460 ֏

от 10 шт. — 1 150 ֏

от 100 шт. — 830 ֏

от 500 шт. — 660 ֏

1 шт. на сумму 1 460 ֏

Номенклатурный номер: 8004585529

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Dual 60V PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2.75 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	6.7 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.28 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZDT751
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SM-8
Ширина	3.7 mm
Collector Emitter Voltage Max NPN	-
Collector Emitter Voltage Max PNP	60В
Continuous Collector Current NPN	-
Continuous Collector Current PNP	2А
DC Current Gain hFE Min NPN	-
DC Current Gain hFE Min PNP	40hFE
DC Ток Коллектора	2А
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Power Dissipation NPN	-
Power Dissipation PNP	2.75Вт
Transition Frequency NPN	-
Transition Frequency PNP	140МГц
Квалификация	-
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	60В
Рассеиваемая Мощность	2.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности	-
Стиль Корпуса Транзистора	SM8
Вес, г	1