CSD17581Q3A, MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.7 mOhm 8-VSONP -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
530 ֏
от 500 шт. —
395 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Unclassified
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 78 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.9 mOhms |
| Rise Time: | 23 ns |
| Series: | CSD17581Q3A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.0277 |
