CSD22204WT, MOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 ֏
от 10 шт. —
830 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 8-V P-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.7 W |
| Qg - заряд затвора | 18.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 600 ns |
| Время спада | 2.29 us |
| Высота | 0.62 mm |
| Длина | 1.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD22204W |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 3.45 us |
| Типичное время задержки при включении | 58 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-9 |
| Ширина | 1.5 mm |
| Вес, г | 0.0025 |
