CSD22205L, MOSFET -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
434 ֏
от 10 шт. —
380 ֏
от 100 шт. —
279 ֏
от 500 шт. —
226 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 434 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор -8V, P channel NexFET power МОП-транзистор, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 7.4 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 800 mW |
| Qg - заряд затвора: | 8.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 8 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 6 V, + 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.05 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 14 ns |
| Время спада: | 32 ns |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | NexFET |
| Конфигурация: | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 10.4 S |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | CSD22205L |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 30 ns |
| Торговая марка: | Texas Instruments |
| Упаковка / блок: | PICOSTAR-4 |
| Вес, г | 0.001 |
