CSD87502Q2, MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SON 2 mm x 2, 42 mOhm, gate ESD protection 6-WSON -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
423 ֏
от 100 шт. —
304 ֏
от 500 шт. —
244 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Unclassified
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | WSON-FET-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Series: | CSD87502Q2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 32.4mΩ@4A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 353pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.3W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6nC@10V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.01 |
