TPS1100DR, MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 030 ֏
от 10 шт. —
1 590 ֏
от 100 шт. —
1 170 ֏
от 500 шт. —
920 ֏
1 шт.
на сумму 2 030 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 791 mW |
| Qg - заряд затвора | 5.45 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 2 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | TPS1100 |
| Технология | Si |
| Тип | PMOS Switches |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V, 1.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 791mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.45nC@10V |
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 0.076 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 772 КБ
