TPS1100PW, MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 540 ֏
1 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.27 A |
| Pd - рассеивание мощности | 504 mW |
| Qg - заряд затвора | 5.45 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 2 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.2 mm |
| Длина | 4.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 150 |
| Серия | TPS1100 |
| Технология | Si |
| Тип | PMOS Switches |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TSSOP-8 |
| Ширина | 3 mm |
| Base Product Number | TPS1100 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.27A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173"", 4.40mm Width) |
| Power Dissipation (Max) | 504mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.039 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 772 КБ
