CXT5551 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 6.0V 600mA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1518 шт., срок 7-9 недель

1 540 ֏

от 10 шт. — 1 190 ֏

от 100 шт. — 880 ֏

от 500 шт. — 690 ֏

1 шт. на сумму 1 540 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004612139

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 6.0V 600mA

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	200 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gain Bandwidth Product fT:	300 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Pd - Power Dissipation:	1.2 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.01