2DB1386R-13, Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

800 ֏

от 10 шт. — 710 ֏

от 100 шт. — 454 ֏

1 шт. на сумму 800 ֏

Номенклатурный номер: 8004612900

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180 at 500 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	180 at 0.5 A at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DB13
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.48 mm
Вес, г	0.1305