BC847BLP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

335 ֏

от 10 шт. — 260 ֏

от 100 шт. — 137 ֏

от 1000 шт. — 90 ֏

1 шт. на сумму 335 ֏

Номенклатурный номер: 8004613224

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	200 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	200
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	10000
Gain Bandwidth Product fT:	100 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	100 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	DFN1006-3
Pd - Power Dissipation:	400 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BC847B
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	1Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BC847 Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	X1-DFN1006
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	9