BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
335 ֏
от 100 шт. —
132 ֏
от 1000 шт. —
85 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 200 |
| Конфигурация: | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 450 |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 600 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 100 mA |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-363-6 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 45В |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 45В |
| Continuous Collector Current NPN | 100мА |
| Continuous Collector Current PNP | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 200hFE |
| DC Current Gain hFE Min PNP | 200hFE |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Power Dissipation NPN | 200мВт |
| Power Dissipation PNP | 200мВт |
| Transition Frequency NPN | 300МГц |
| Transition Frequency PNP | 200МГц |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Полярность Транзистора | Complementary NPN and PNP |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 432 КБ
