BC847PNQ-7R-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
![Фото 1/2 BC847PNQ-7R-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515893.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/896/DOC002896770.jpg)
484 ֏
от 10 шт. —
366 ֏
от 100 шт. —
132 ֏
от 1000 шт. —
85 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Collector Emitter Voltage Max NPN | 45В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | 45В |
Continuous Collector Current NPN | 100мА |
Continuous Collector Current PNP | 100мА |
DC Current Gain hFE Min NPN | 200hFE |
DC Current Gain hFE Min PNP | 200hFE |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation NPN | 200мВт |
Power Dissipation PNP | 200мВт |
Transition Frequency NPN | 300МГц |
Transition Frequency PNP | 200МГц |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Вес, г | 18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 432 КБ