DDTC114GCA-7-F, Digital Transistors 200MW 10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
267 ֏
от 10 шт. —
183 ֏
от 100 шт. —
76 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 267 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 10K
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DDTC114 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 87 КБ
