DDTD113ZU-7-F, Digital Transistors 200MW 1K 10K
![DDTD113ZU-7-F, Digital Transistors 200MW 1K 10K](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530039.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
423 ֏
от 10 шт. —
322 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
от 1000 шт. —
79 ֏
1 шт.
на сумму 423 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DDTD113 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet DDTD113ZU-7-F
pdf, 75 КБ