DJT4031N-13, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
![Фото 1/2 DJT4031N-13, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT](https://static.chipdip.ru/lib/147/DOC013147644.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
620 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
348 ֏
от 500 шт. —
258 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 3A 105MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 2000 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы-BJT |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | +150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 5 A |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 300 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 105 MHz |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 2500 |
Серия: | DJT4031 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs-Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | SOT-223-4 |
Base Product Number | DJT4031 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 105MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 1.2W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ