DJT4031N-13, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT

Фото 1/2 DJT4031N-13, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт.580 ֏
от 100 шт.348 ֏
от 500 шт.258 ֏
1 шт. на сумму 620 ֏
Номенклатурный номер: 8004613353
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 3A 105MHz 1.2W Surface Mount SOT-223

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 2000 mW
Вид монтажа: SMD/SMT
Категория продукта: Биполярные транзисторы-BJT
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: +150 C
Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO): 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Подкатегория: Transistors
Полярность транзистора: NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 105 MHz
Производитель: Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: DJT4031
Технология: Si
Тип продукта: BJTs-Bipolar Transistors
Торговая марка: Diodes Incorporated
Упаковка / блок: SOT-223-4
Base Product Number DJT4031 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 105MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 1.2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 108 КБ