DMB2227A-7, Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA

DMB2227A-7, Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт.414 ֏
от 100 шт.203 ֏
от 1000 шт.143 ֏
1 шт. на сумму 530 ֏
Номенклатурный номер: 8004613359
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 300mW +/-600mA

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.1 mm
Длина 3 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 35
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V, 75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V, 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz, 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DMB2227
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-26-6
Ширина 1.6 mm
Base Product Number DMB2227 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 300MHz, 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-23-6
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-26
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V, 60V
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet DMB2227A-7
pdf, 232 КБ