MMBT3904FZ-7B, Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
295 ֏
от 500 шт. —
218 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHz
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 350 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коммерческое обозначение: | MMBT3904 |
| Конфигурация: | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 300 |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 200 mA |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки: | 10000 |
| Серия: | MMBT3904FZ |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | DFN0606-3 |
| Вес, г | 0.0301 |
Техническая документация
Datasheet MMBT3904FZ-7B
pdf, 460 КБ
