MMBTH10Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT RF Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

530 ֏

от 10 шт. — 418 ֏

от 100 шт. — 251 ֏

от 1000 шт. — 144 ֏

1 шт. на сумму 530 ֏

Номенклатурный номер: 8004613486

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

РЧ биполярные транзисторы RF Transistor

Pd - рассеивание мощности	310 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	РЧ биполярные транзисторы
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	60 at 4 mA, 10 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Непрерывный коллекторный ток	50 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Рабочая частота	650 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	RF Bipolar Transistors
Тип транзистора	Bipolar
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	1