FS50R07W1E3_B11A, IGBT Modules EASY PACK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 000 ֏
от 10 шт. —
42 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 52 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 205 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | FS50R07W1E3B11ABOMA1 SP000865118 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 24 |
| Серия | FS50R07W1 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | EasyPack1B |
| Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet FS50R07W1E3_B11A
pdf, 494 КБ
