IGW50N60T, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
![Фото 1/2 IGW50N60T, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
5 700 ֏
от 10 шт. —
4 450 ֏
от 25 шт. —
4 030 ֏
от 100 шт. —
3 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW50N60T от производителя INFINEON – высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного коммутирования и усиления сигналов в различных электронных устройствах. Модель характеризуется током коллектора до 50 А и напряжением коллектор-эмиттер до 600 В, что обеспечивает его применение в силовой электронике. Мощность устройства достигает 333 Вт, что гарантирует стабильность работы в условиях высоких нагрузок. Монтаж данного транзистора осуществляется методом THT, что упрощает процесс интеграции в печатные платы. Вид IGBT указывает на биполярный тип с изолированным затвором, предоставляя преимущества в управлении мощными нагрузками. Данный компонент поставляется в надежном корпусе PG-TO247-3, обеспечивающем эффективный теплоотвод и простоту монтажа. Идеален для широкого спектра применений, включая преобразователи частоты, источники питания и сварочное оборудование. Приобретая IGW50N60T, вы получаете надежный и долговечный компонент для вашей электроники. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 50 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
Мощность, Вт | 333 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 90 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | SP000054926 IGW5N6TXK IGW50N60TFKSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 333 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | TRENCHSTOP IGBT |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 445 КБ