IPW60R125CP, MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R125CP, MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 10 шт.6 800 ֏
от 25 шт.5 900 ֏
от 100 шт.5 100 ֏
1 шт. на сумму 8 000 ֏
Номенклатурный номер: 8004635591

Описание

Unclassified
Импульсные источники питания (SMPS)
Infineon Technologies Импульсные источники питания (SMPS) — это экономичная линейка, включающая высоковольтные полевые МОП-транзисторы, управляющие ИС и карбид-кремниевые диоды для каскадов PFC и PWM. , а также низковольтные МОП-транзисторы для синхронного выпрямления. Благодаря этим продуктам SMPS Infineon поддерживает тенденцию к постоянному снижению энергопотребления. Особенно универсальным является новое семейство CoolMOS™ 600V C6, которое сочетает в себе хорошую эффективность с привлекательной ценой, как и наши SiC-диоды 3-го поколения. Для синхронного выпрямления серия OptiMOS™ 3 предлагает чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии и малую емкость. Новые микросхемы управления Infineon поддерживают такие топологии, как квазирезонансная обратноходовая схема и LLC.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Fall Time: 5 ns
Id - Continuous Drain Current: 25 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: IPW6R125CPXK SP000088489 IPW60R125CPFKSA1
Pd - Power Dissipation: 208 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 70 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 110 mOhms
Rise Time: 5 ns
Series: CoolMOS CE
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: CoolMOS
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Typical Turn-On Delay Time: 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 669 КБ