IPW60R125CP, MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
![IPW60R125CP, MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 10 шт. —
6 800 ֏
от 25 шт. —
5 900 ֏
от 100 шт. —
5 100 ֏
1 шт.
на сумму 8 000 ֏
Описание
Unclassified
Импульсные источники питания (SMPS)Infineon Technologies Импульсные источники питания (SMPS) — это экономичная линейка, включающая высоковольтные полевые МОП-транзисторы, управляющие ИС и карбид-кремниевые диоды для каскадов PFC и PWM. , а также низковольтные МОП-транзисторы для синхронного выпрямления. Благодаря этим продуктам SMPS Infineon поддерживает тенденцию к постоянному снижению энергопотребления. Особенно универсальным является новое семейство CoolMOS™ 600V C6, которое сочетает в себе хорошую эффективность с привлекательной ценой, как и наши SiC-диоды 3-го поколения. Для синхронного выпрямления серия OptiMOS™ 3 предлагает чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии и малую емкость. Новые микросхемы управления Infineon поддерживают такие топологии, как квазирезонансная обратноходовая схема и LLC.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Fall Time: | 5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPW6R125CPXK SP000088489 IPW60R125CPFKSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 208 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 70 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | CoolMOS CE |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | CoolMOS |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 669 КБ