IXFB44N100Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 600 ֏
от 25 шт. —
37 900 ֏
от 100 шт. —
35 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 53 600 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 44А, 1560Вт, PLUS264™ Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.56 kW |
Qg - заряд затвора | 264 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 300 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFB44N100 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | PLUS-264-3 |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet IXFB44N100Q3
pdf, 149 КБ