IXFH40N85X, MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 500 ֏
от 10 шт. —
13 800 ֏
от 30 шт. —
12 600 ֏
от 60 шт. —
11 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 40А, 860Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 13 S |
Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 860 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 98 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 145 mOhms |
Rise Time: | 11 ns |
Series: | IXFx40N85 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 63 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 850 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Вес, кг | 29.7 |
Техническая документация
Datasheet IXFH40N85X
pdf, 272 КБ
IXFH40N85X- IXFT40N85XHV
pdf, 258 КБ