IXFK64N50Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
![Фото 1/3 IXFK64N50Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529485.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/683/DOC040683231.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC023452954.jpg)
33 400 ֏
от 10 шт. —
27 600 ֏
от 25 шт. —
25 200 ֏
от 100 шт. —
21 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 400 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 500V/64A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 64 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 kW |
Qg - заряд затвора | 145 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 250 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFK64N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-264 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Q3-Class |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
Width | 5.13mm |
Вес, г | 7.5 |