IXFX98N50P3, MOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
![Фото 1/3 IXFX98N50P3, MOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880123.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC024356849.jpg)
16 500 ֏
от 30 шт. —
12 300 ֏
от 60 шт. —
11 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 98А, 1300Вт, PLUS247™ Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 98 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 kW |
Qg - заряд затвора | 197 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 6 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 96 S, 58 S |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFX98N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 98 A |
Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.3 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PLUS247 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 197 nC @ 10 V |
Width | 5.21mm |
Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 131 КБ