IXGA30N120B3, IGBTs GenX3 1200V IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 500 ֏
от 10 шт. —
11 800 ֏
от 50 шт. —
9 400 ֏
от 100 шт. —
8 000 ֏
1 шт.
на сумму 13 500 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 30А, 300Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.05 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 150 A |
| Continuous Collector Current: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | IXGA30N120 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | GenX3 |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 218 КБ
