IXGH48N60B3D1, IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 300 ֏
от 10 шт. —
8 000 ֏
от 30 шт. —
6 600 ֏
от 120 шт. —
5 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 300 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 600В, 48А, 300Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 48 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 280 A |
| Continuous Collector Current: | 48 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | TO-247AD-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | IXGH48N60 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | GenX3 |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 201 КБ
