IXTH26N60P, MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds

IXTH26N60P, MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 800 ֏
от 10 шт.8 800 ֏
от 30 шт.6 900 ֏
от 120 шт.5 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 800 ֏
Номенклатурный номер: 8004636836
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 26 A
Pd - рассеивание мощности 460 W
Qg - заряд затвора 72 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 27 ns
Время спада 21 ns
Высота 21.46 mm
Длина 16.26 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PolarHV
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 16 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXTH26N60
Технология Si
Тип PolarHV Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 75 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 6.5