IXTH26N60P, MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
![IXTH26N60P, MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 800 ֏
от 10 шт. —
8 800 ֏
от 30 шт. —
6 900 ֏
от 120 шт. —
5 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 800 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
Pd - рассеивание мощности | 460 W |
Qg - заряд затвора | 72 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 21 ns |
Высота | 21.46 mm |
Длина | 16.26 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PolarHV |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXTH26N60 |
Технология | Si |
Тип | PolarHV Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Вес, г | 6.5 |