IXTP01N100D, MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
![Фото 1/2 IXTP01N100D, MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
8 300 ֏
от 10 шт. —
7 900 ֏
от 50 шт. —
6 000 ֏
от 100 шт. —
5 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 300 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,1А, 25Вт, TO220-3, 2нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Depletion |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Fall Time: | 64 ns |
Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 25 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 Ohms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | IXTP01N100 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IXTP01N100D
pdf, 384 КБ