IXTP8N65X2, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
![IXTP8N65X2, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 940 ֏
от 10 шт. —
2 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 940 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 28 ns |
Время спада | 24 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.8 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | X2-Class |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 53 ns |
Типичное время задержки при включении | 24 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 0.35 |