Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGCL60TS60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT ...

RGCL60TS60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

346 шт., срок 6-9 недель

4 140 ֏

от 10 шт. — 3 290 ֏

от 250 шт. — 2 480 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 140 ֏

Номенклатурный номер: 8004638633

Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	111 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGCL60TS60D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	48 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-247-3
Base Product Number	RGCL60 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	48A
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
ECCN	EAR99
Gate Charge	68nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	TO-247-3
Power - Max	111W
Reverse Recovery Time (trr)	58ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247N
Switching Energy	770ВµJ (on), 1.11mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	44ns/186ns
Test Condition	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Вес, г	1