HN4A56JU(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
456 шт., срок 5-8 недель
445 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 445 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Bipolar TransistorsToshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Configuration: | Dual |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 60 MHz |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet HN4A56JU(TE85L.F)
pdf, 214 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
