RN1115MFV,L3F, Digital Transistors BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8905 шт., срок 7-9 недель
242 ֏
1 шт.
на сумму 242 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR
Технические параметры
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Подкатегория | Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | RN1115MFV |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RN1115MFV.L3F
pdf, 204 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
