RN1908,LF(CT, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8814 шт., срок 7-9 недель
335 ֏
1 шт.
на сумму 335 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
| Конфигурация: | Dual |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 7 V |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Производитель: | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | RN1908 |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Торговая марка: | Toshiba |
| Упаковка / блок: | US-6 |
| Вес, г | 0.0068 |
Техническая документация
Datasheet RN1908.LF(CT
pdf, 465 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
