RN2704,LF, Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8799 шт., срок 7-9 недель
357 ֏
1 шт.
на сумму 357 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
| Конфигурация: | Dual |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | - 100 mA |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 10 V |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Производитель: | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Торговая марка: | Toshiba |
| Упаковка / блок: | USV-6 |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Datasheet RN2704.LF
pdf, 595 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
