SSM6K202FE,LF, MOSFET Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8232 шт., срок 5-8 недель

540 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 ֏

Номенклатурный номер: 8004639066

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm

Id - непрерывный ток утечки	2.3 A
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	66 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6K202
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	31 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	ES6-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.003